4N35M
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Количество каналов | 1 |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 10mA |
| Vce Saturation (Max) | 300mV |
| Корпус (размер) | 6-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 30V |
| Voltage - Isolation | 7500Vpk |
| Тип входа | DC |
| Output Type | Transistor with Base |
| Ток выходной / канал | 100mA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
4N35M (Оптроны фототранзисторные) Фототранзисторный оптрон общего назначения
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс |
|
1 140.00 | ||
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
 |
|
TMV 1212D |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.8-13.2V, выход +12V/40mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ... | TRACO | 73 | 651.92 | |
|
|
|
TMV 1212D |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.8-13.2V, выход +12V/40mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ... |
|
|
||
 |
TMV 0505S |
|
DC/DC преобразователь 1Вт, 5В, 0.2А | TRACO | 4 564 | 279.52 | ||
|
|
TMV 0505S |
|
DC/DC преобразователь 1Вт, 5В, 0.2А |
|
|
|||
| VS-HFA25TB60 | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-HFA25TB60 | 2 | 582.12 | ||||||
 |
КР1157ЕН502А |
|
+5В, 100мА |
|
12.48 | |||
|
|
КР1157ЕН502А |
|
+5В, 100мА | ДАЛЕКС |
|
|
||
|
|
КР1157ЕН502А |
|
+5В, 100мА | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
|
|
КР1157ЕН502А |
|
+5В, 100мА | БРЯНСК |
|
|
