Версия для печати
Технические характеристики LT1719CS8

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	UltraFast™
Тип	General Purpose
Число элементов	1
Тип выхода	CMOS, Rail-to-Rail, TTL
Напряжение питания	2.7 V ~ 10.5 V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC
Output Type	CMOS, Rail-to-Rail, TTL

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Компараторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	ANALOG DEVICES	156	805.60
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...			870.00
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	ANALOG
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	Analog Devices Inc
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	ANALOG DEVICES	1
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	272
		AD8611ARZ		Компаратор, tз=4нс, Uсдв=1мВ, 4мкВ/°С, Iсм=4.5мкА, Iсдв=4мкА, Uп=2.7..6В, Iп=12мА, ...	195
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NXP
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DC COMPONENTS
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	MOTOROLA
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...		30 574	1.23
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DIOTEC
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NXP
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	PHILIPS
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	КИТАЙ
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEC
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CJ
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SEMTECH
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	0.00
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ZH
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	1
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SUNTAN	24 371	1.75
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	LGE	22 580	1.84
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEEN SIDE	8	1.80  >100 шт.   0.90
		BC557C		Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	RUME	49 600	1.48  >100 шт.   0.74
		MMBFJ310LT1G					26.00
		MMBFJ310LT1G			ON SEMICONDUCTOR
		MMBFJ310LT1G			ONS
		MMBFJ310LT1G			ON SEMICONDUCTOR	81
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS	2 240	11.37
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	NEC
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный			24.80
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	TEXAS
		NE5532DR		Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный	4-7 НЕДЕЛЬ	794
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	NEC
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий			90.00
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	ON Semiconductor
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	TEXAS INSTRUMEN
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	TEXAS
		NE5534D		ИМС Операционный усилитель 10МГц, малошумящий	4-7 НЕДЕЛЬ	186

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"