Версия для печати
Технические характеристики LM317LZ

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 125°C
Ток выходной	100mA (Max)
Число регуляторов	1
Напряжение входное	Up to 40V
Напряжение выходное	1.2 V ~ 37 V
Топология регулятора	Positive Adjustable
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Wire Composition Change 08/Aug/2008
Ток минимальный предел тока	100mA

LM317L LOW CURRENT 1.2 TO 37V ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR Также в этом файле: LM317LZ, LM317LZ Производитель: STMicroelectronics //www.st.com LM317LZ datasheet 252.43Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM	24 814	101.25
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM/DALLAS	5	100.62
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,			364.00
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	DALLAS
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	Maxim Integrated Products
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	КИТАЙ
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGR
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAX/DALL
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	MAXIM INTEGRATED	4 720	93.50
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	1
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	ANALOG DEVICES
		DS18B20+		Датчик температуры однопр.,	4-7 НЕДЕЛЬ	294
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R	INTERNATIONAL RECTIFIER	4
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R	INFINEON
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R	INFINEON TECHNOLOGIES
		IRF4905SPBF		Транзистор P-Ch 55V 74A 200W 0,02R	IR/VISHAY
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	FAIR
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	FSC
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	FAIRCHILD
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	NSC
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	FAIRCHILD	59
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR	11
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	NS
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	Fairchild Semiconductor
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	TEXAS INSTRUMENTS	319	16.80
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	TEXAS
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...		1	60.48
		LM317LM		Линейный СН с подстройкой (Vout=1,2.37V, Io(max)=0.2A, Vin-out(max)=40V, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	555
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	545	8.30
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		XC3S50AN-4TQG144C			XILINX	23	4 620.00
		XC3S50AN-4TQG144C					2 088.00
		XC3S50AN-4TQG144C			XILINX	64
		XC3S50AN-4TQG144C			Xilinx Inc
		XC3S50AN-4TQG144C			4-7 НЕДЕЛЬ	783

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"