MC3371D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC3371D	417	219.48

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFC237021333	Пленочный конденсатор 0.033 мкФ 100 В	VISHAY	76	71.11
BFC237021333	Пленочный конденсатор 0.033 мкФ 100 В	Vishay/BC Components
BFC237021333	Пленочный конденсатор 0.033 мкФ 100 В			51.20
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	SAMSUNG	40	78.86
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	ON SEMICONDUCTOR
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16		3	98.28
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	MOTOROLA
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	1
MC3361	ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	4-7 НЕДЕЛЬ
MC3361CP		ON SEMICONDUCTOR
MC3361CP			18	130.20
MC3361CP			18	130.20
MC3361CP		1
MC3361CP		4-7 НЕДЕЛЬ
561ТМ2	2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В		800	41.38
561ТМ2	2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
561ТМ2	2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСК
561ТМ2	2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	ХАБАРОВСК
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		124	63.00
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	8	46.85
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	800	22.32
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ646Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	35	48.56