| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0.47МКФ 50 (4X5)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
|
186
|
101.75
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
238
|
12.60
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
9 536
|
2.73
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
18 047
|
1.39
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
9.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
2 160
|
2.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
13 419
|
4.03
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KEEN SIDE
|
13 760
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
16
|
117.77
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
16
|
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
|
1 853
|
50.34
|
|
|
|
STP75NF75 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET 75В, 80A, 45Вт
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-10 ОМ-5% |
|
Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий, металлодиэлектрический ...
|
|
|
|
|