| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
22МКФ 50В (8X7) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50В
|
|
|
20.40
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
160.06
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
2
|
267.12
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
735
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
|
186
|
101.75
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
|
238
|
12.60
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
DC COMPONENTS
|
8 636
|
1.77
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
MIC
|
23 391
|
1.28
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
КИТАЙ
|
532
|
10.15
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
LGE
|
1 360
|
2.07
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
WUXI XUYANG
|
10 735
|
4.04
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
SF18 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс
|
KEEN SIDE
|
13 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
|
|
182.48
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
1
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|