ECLAMP2410P.TCT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ECLAMP2410P.TCT (4-7 НЕДЕЛЬ)	421	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74LVC1G74DP		PHILIPS
74LVC1G74DP		NXP
74LVC1G74DP		NXP
74LVC1G74DP		PHILIPS
74LVC1G74DP
74LVC1G74DP		4-7 НЕДЕЛЬ	608
AT45DB161E-SHD-T		ADESTO	192	113.65
AT45DB161E-SHD-T			2 099	89.32
AT45DB161E-SHD-T		ATMEL
AT45DB161E-SHD-T		АDESTO
AT45DB161E-SHD-T		RENESAS	4 281	84.69
AT45DB161E-SHD-T		4-7 НЕДЕЛЬ	531
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRONICS
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8			222.00
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	STMicroelectronics
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ФИЛИППИНЫ
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	ST MICROELECTRO
L5973D	ИМС РЕГ направленный 2.5A HSOP8	4-7 НЕДЕЛЬ	493
SS14 (SK14) (1A 40V)	Диод шоттки 1A, 40В ,SMA.ELZET,SMD
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T	Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...	SILICON STORAGE TECHNOLOGY
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T	Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...	SILICON STORAGE TECHNOLOGY
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T	Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...	Microchip Technology
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T	Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...	SST
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T	Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...	MICRO CHIP