|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
367 876
|
1.95
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
130 905
|
2.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 794
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
775 415
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
379 276
|
1.25
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 938
|
1.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 048 061
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
272 313
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
731 655
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GOOD ARK
|
184
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
БРЕСТ
|
6 813
|
1.05
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
КИТАЙ
|
80
|
4.91
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
|
24 389
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SEMTECH
|
1 876
|
1.54
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KINGTRONICS
|
73
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
GALAXY ME
|
987
|
1.31
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
TEMIC
|
12
|
1.85
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 581
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V8 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=6.47.2V (6.8V nom)@Iz=5 mA, 500MW, DO-35)
|
SUNTAN
|
1 376
|
1.30
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NSC
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
|
|
94.36
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
44
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
NS
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
DS26C32ATM |
|
Приемник дифференциальный счетверенный RS-422/423
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
793
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
|
|
358.80
|
|
|
|
TLV2461IDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
467
|
|
|
|
|
РС10ТВ КОЖУХ |
|
|
|
|
|
|