|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-TO252-5 |
| Корпус (размер) | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 6 V ~ 52 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 6.5A |
| Ток выходной / канал | 2.2A |
| Сопротивление (On-State) | 150 mOhm |
| Число выходов | 1 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Серия | miniPROFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
BTS452R (Дискретные сигналы) Smart Power High-Side-Switch
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
AT90S2313-10PC |
|
Микроконтроллер DIP20; Разрядность: 8; FLASH: 1k; ROM: 62,5; I/O: 15; Скорость, МГц: 10; | ATMEL |
|
|
|
|
|
|
AT90S2313-10PC |
|
Микроконтроллер DIP20; Разрядность: 8; FLASH: 1k; ROM: 62,5; I/O: 15; Скорость, МГц: 10; |
|
1 092.00 | ||
|
|
|
AT90S2313-10PC |
|
Микроконтроллер DIP20; Разрядность: 8; FLASH: 1k; ROM: 62,5; I/O: 15; Скорость, МГц: 10; | ATMEL CORPORATION |
|
|
|
|
|
|
AT90S2313-10PC |
|
Микроконтроллер DIP20; Разрядность: 8; FLASH: 1k; ROM: 62,5; I/O: 15; Скорость, МГц: 10; | 4-7 НЕДЕЛЬ | 171 |
|
|
| BTS432E2E3062A | INFINEON |
|
|
|||||
|
|
|
IRFR2405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR2405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
||
|
|
|
IRFR2405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFR2405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | EVVO | 36 | 9.44 | |
|
|
TLE4264G | INFINEON | 1 488 | 63.00 | ||||
|
|
TLE4264G |
|
147.60 | |||||
|
|
TLE4264G | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
TLE4264G | INFINEON |
|
|
||||
|
|
TLE4264G | INFINEON TECH |
|
|
||||
|
|
TLE4264G | SIEMENS |
|
|
||||
|
|
TLE4264G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 638 |
|
||||
| РК170-4000КГЦ |
|
37.84 |