AT27C010-45JU

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
AT27C010-45JU (4-7 НЕДЕЛЬ)	644	3-4 недели Цена по запросу

IC OTP 1MBIT 45NS 32PLCC

Версия для печати

Технические характеристики AT27C010-45JU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	EPROMs
Тип памяти	OTP EPROM
Объем памяти	1M (128K x 8)
Скорость	45ns
Интерфейс подключения	Parallel
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	32-LCC (J-Lead)
Корпус	32-PLCC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

AT27C010-45JU datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AM29F010-120JI		AMD
AM29F010-120JI				320.00
AM29F010-120JI		ADVANCED MICRO DEVICES	1
AM29F010-120JI		4-7 НЕДЕЛЬ	139
BTS409L1E3062A	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON	90	359.59
BTS409L1E3062A	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A	INFINEON
BTS409L1E3062A	Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
PLCC-32 SMD	Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А	AUK
PLCC-32 SMD	Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А			31.88
PLCC-32 SMD	Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
PLCC-32 SMD	Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А	TYCO
PLCC-32 SMD	Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А	KLS
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый			572.00
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS	334	516.60
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
STGB10NB37LZT4	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMICROELECTR
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	528	278.96
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257

AT27C010-45JU

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают: