| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
|
83
|
5.55
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
HGF
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
|
400
|
31.45
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
МЕЗОН
|
240
|
59.93
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К555ТМ2 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
|
584
|
36.80
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
ФОТОН
|
4
|
57.78
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
СЗТП
|
8
|
331.84
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ 816Г |
|
|
|
318
|
42.00
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 367
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
Версия для печати
