| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
DC COMPONENTS
|
562
|
108.09
|
|
|
|
|
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
|
|
154.08
|
|
|
|
|
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
KBPC2504 |
|
Мосты диодные 25A 400V
|
SSO
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
6
|
56.70
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
759
|
|
|
|
|
|
К555АГ3 |
|
|
|
1
|
27.75
|
|
|
|
|
К555АГ3 |
|
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
К555АГ3 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К555АГ3 |
|
|
МИКРОН
|
192
|
98.15
|
|
|
|
|
КТ 816Г |
|
|
|
318
|
42.00
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
192
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
908
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 028
|
33.60
|
|
Версия для печати
