РПИ-М 1.5-(2.8)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
РПИ-М 1.5-(2.8)	30 800	1.75

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
533ИР22			192	160.06
533ИР22		МЕЗОН	102	80.56
533ИР22		МИКРОН	211	551.20
533ИР22		RUS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	261.57
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		208	89.66
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	225.09
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	HXY	16	116.46
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
IRG4PC50UD	Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY
НКИ 1.5-4			5 280	3.01
НКИ 1.5-4		КВТ
НКИ 1.5-4		KVT
РПИ-М 1.5-(4.8)
РПИ-М 1.5-(4.8)		КВТ