Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BTS621L1		Транзистор полевой	INFINEON
		BTS621L1		Транзистор полевой			518.36
		BTS621L1		Транзистор полевой	Infineon Technologies
		BTS621L1		Транзистор полевой	SIEMENS
		BTS621L1		Транзистор полевой	4-7 НЕДЕЛЬ	296
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	261.57
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		32	89.66
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	225.09
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
		IRFP450		Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	HXY
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...			904.00
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	ФИЛИППИНЫ
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	INFINEON
		IRG4PC50UD		Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...	IR/VISHAY	15	1 125.45
		MD2202-D128-X			SanDisk
		РПИ-М 1.5-(4.8)
		РПИ-М 1.5-(4.8)			КВТ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"