| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
|
|
800.00
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
45 737
|
2.24
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
3
|
15.12
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
18 581
|
1.50
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
38
|
4.13
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
12 400
|
2.57
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
133
|
4.94
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
48
|
2.30
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
528
|
2.06
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
10 800
|
1.64
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GOODWORK
|
972
|
1.85
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
UC2825N |
|
ИМС, DIP16
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
UC2825N |
|
ИМС, DIP16
|
|
|
122.40
|
|
|
|
|
UC2825N |
|
ИМС, DIP16
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
UC2825N |
|
ИМС, DIP16
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
UC2825N |
|
ИМС, DIP16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
165
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
|
|
115.20
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
8
|
498.96
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД2997А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|