| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
11 897
|
13.01
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
1 148
|
32.82
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
4 771
|
27.95
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
780
|
25.20
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
615
|
44.40
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
6 080
|
19.63
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
6 033
|
10.10
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
1 249
|
11.54
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
18.51
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
EPCOS
|
7 954
|
28.97
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
TDK-EPC
|
65 101
|
21.33
|
|
|
|
|
B72220S0271K101 |
|
|
TDK (EPCOS)
|
1
|
22.58
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805
|
YAGEO
|
789 355
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф, NP0, 5%, 0805
|
|
8
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
19 836
|
3.19
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 564
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
62
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FUXIN
|
9 619
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS
|
17 561
|
2.61
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
|
|
4.20
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 036
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
SEMTECH
|
16
|
1.51
|
|
|
|
|
MMBT3906LT1G |
|
Транзистор GP SS PNP 40V
|
ONSEMI
|
282
|
6.33
|
|
Версия для печати
