|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
17 861
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
5 608
|
1.62
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
4
|
1.03
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
64 540
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 688
|
1.05
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
2 212
|
1.01
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.05
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.20
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
5 779
|
1.94
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
16 145
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
8 000
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
4.7МКФ50В4X7 |
|
|
JAMICON
|
800
|
6.43
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
|
2
|
462.50
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
MICRO CHIP
|
720
|
268.63
|
|
|
|
ATTINY2313A-PU |
|
Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
745
|
|
|
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс
|
|
|
|
|
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс
|
INFINEON
|
5
|
382.67
|
|
|
|
IR2104PBF |
|
Драйвер полумоста c одним входом U= 600V Io+ =0,13/0,27A t(on/of)= 680/150нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
184
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
609
|
33.20
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
|
609
|
33.20
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP10NK60ZFP |
|
Полупроводниковый компонент TO220ISO
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|