|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3430pF @ 20V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7470 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
B57560G0103F000 |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
|
|
|
B57560G0103F000 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | DC COMPONENTS | 40 128 | 1.70 | |
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NXP | 307 |
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | KINGTRON |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | PHI |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NEXPERIA | 42 | 2.08 | |
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | NXP/NEXPERIA |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA | KEEN SIDE | 3 |
1.50 >500 шт. 0.50 |
|
| L7812CD2T |
|
|
||||||
| L7812CD2T |
|
|
||||||
| L7812CD2T | ST MICROELECTRONICS | 4 | 37.48 | |||||
| L7812CD2T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 600 |
|
|||||
| LPC1769FBD100 | NXP |
|
|
|||||
| LPC1769FBD100 |
|
|
||||||
| LPC1769FBD100 | NXP |
|
|
|||||
| LPC1769FBD100 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 181 |
|
|||||
| ЧИП ТАНТ. 25V 22UF 20% D |
|
|