Версия для печати
Технические характеристики IRFBE30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBE30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =3.0ohm, Id=4.1a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBE30 datasheet 170.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		314	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	3 170	19.26
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	40	147.42
		К1156ЕУ2Р					158.40
		К1156ЕУ2Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2Р			НТЦ
		К1156ЕУ2Р			РОССИЯ
		К1156ЕУ2Р			СИТ
		К1156ЕУ2Р			КРЕМНИЙ	8	234.36
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%			6.60
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	SUNTAN
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	КЗК
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	КИТАЙ
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	ПРОМТЕЗКЗК
		К73-17-630-0.033 10%		Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.033мкФ, 630В, 10%	ПРОМТЕХКЗК
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	КРИСТАЛЛ
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА		1	166.50
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	УЛЬЯНОВСК	421	357.00
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	ИСКРА
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	RUS
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	НПП УРЛЗ	64	599.26

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"