| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
|
11 299
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
NXP
|
2 400
|
1.79
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DC COMPONENTS
|
6 975
|
4.62
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
FAIRCHILD
|
18 053
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
DIOTEC
|
81
|
1.79
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
HOTTECH
|
19 857
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YJ
|
76 945
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
XXW
|
25 564
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
16652
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
14632
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C10 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.35Вт 10В
|
12832
|
|
|
|
|
|
|
CR2032-VAY3-17.8 |
|
|
EEMB
|
|
|
|
|
|
|
CR2032-VAY3-17.8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CR2032-VAY3-17.8 |
|
|
FANSO
|
22 406
|
41.23
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
57
|
38.41
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
|
2 632
|
44.87
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 236
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
453
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
70
|
|
|
|
|
|
|
PESD24VS2UT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PESD24VS2UT |
|
|
|
11 840
|
3.89
|
|
|
|
|
PESD5V0X1BL,315 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V0X1BL,315 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V0X1BL,315 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
