|
Полевой транзистор N-канальный |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
|
IRFL014PBF (MOSFET) Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUR260 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MUR260 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MUR260 | YANGJIE (YJ) |
|
|
|||||
| MUR260 | MIC | 120 507 | 2.50 | |||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | EPSON |
|
|
|||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | ЯПОНИЯ |
|
|
|||||
| SG-8002JF XXXXXX MHZ (БЕЗ ЧАСТОТЫ) | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
|
|
TPS51216RUKT |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
TPS51216RUKT |
|
|
|
||||
|
|
TPS51216RUKT |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 433 |
|
|||
| VR20D-471K | HITANO |
|
|
|||||
| VR20D-471K |
|
26.72 | ||||||
| КР572ПВ5А | 1 | 238.14 | ||||||
| КР572ПВ5А | РИГА |
|
|
|||||
| КР572ПВ5А | МСХ1 |
|
|
|||||
| КР572ПВ5А | ЛАТВИЯ |
|
|
|||||
| КР572ПВ5А | МИКРОН |
|
|