IRF540NS
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF540NL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=100V, Rds (on) =44mohm, Id=33A) Также в этом файле: IRF540NS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
40174BE | FAI/QTC |
|
|
||||
|
|
40174BE |
|
41.16 | |||||
|
|
40174BE | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
40174BE | 1 |
|
|
||||
|
|
40174BE | 4-7 НЕДЕЛЬ | 433 |
|
||||
| IPS511GTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IPS511GTR | INFINEON |
|
|
|||||
| IPS511GTR |
|
|
||||||
| IPS511GTR | INTERNATIONAL RECTIFIER | 234 |
|
|||||
|
|
LM3670MF-ADJ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM3670MF-ADJ | NSC |
|
|
||||
|
|
LM3670MF-ADJ |
|
229.60 | |||||
|
|
LM3670MF-ADJ | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LM3670MF-ADJ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM3670MF-ADJ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 215 |
|
||||
|
|
TLP741G(N) |
|
Toshiba |
|
|
|||
 |
|
КР140 УД708 |
|
ОУ широкого применения с максимальной скоростью нарастания выходного напряжения ... |
|
|
