| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
КД105Б КАПЛЯ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б КАПЛЯ |
|
|
ТОМИЛИНО
|
23 989
|
1.86
|
|
|
|
|
КД105Б КАПЛЯ |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КД105Б КАПЛЯ |
|
|
30287
|
|
|
|
 |
 |
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
49
|
18.40
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
80
|
24.99
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
|
933
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.27
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
6 560
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
БРЯНСК
|
635
|
7.44
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
МИНСК
|
1 106
|
7.44
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
ДАЛЕКС
|
560
|
14.46
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
1000
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
173
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
210
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
271
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
543
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Б |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, для ...
|
7800
|
|
|
|
|
|
|
КТ904А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN генераторный
|
|
3
|
1 116.00
|
|
|
|
|
КТ904А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN генераторный
|
ЗНАМЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ904А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN генераторный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КЦ 405А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц
|
|
214
|
25.20
|
|
Версия для печати
