Версия для печати
Технические характеристики 1N5355B

Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Корпус	T-18
Корпус (размер)	T-18, Axial
Тип монтажа	Выводной
Impedance (Max) (Zzt)	2.5 Ohm
Power - Max	5W
Допустимые отклонения емкости	±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 13V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	18V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±5%
Серия	Surmetic™

1N53xxB 5 Watt SurmeticE 40 Zener Voltage Regulators Также в этом файле: 1N5355B Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com 1N5355B datasheet 67.06Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

Синонимы от поставщиков: 1N5355B ; 1N-5355B ; 1N 5355B ; 1N — 5355B ; 1N5355B ; диод 1N5355B ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	EIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DC COMPONENTS	5 993	10.30
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SMK
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ST MICROELECTRONICS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ONS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		4 178	6.62
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	OTHER	3
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MULTICOMP
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	KLS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	HOTTECH
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	1
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SUNTAN	1 555	5.47
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	LGE
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SENOCN	4	8.25
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ASEMI	5 504	4.88
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	10 949	3.65
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	Fairchild Semiconductor
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	STMicroelectronics
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ	820	10.93
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	1 025	5.85
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)		7 984	4.27
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS	44	4.83
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	ONS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIC	23	5.80
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KLS
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGZHOU YANGJIE
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	KEEN SIDE	1 160	2.84
		1N5821		Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)	6567
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	11 780	1.59
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	12.49
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	1	3.64
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ	8	2.25
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		27 316	1.50  >500 шт.   0.50
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.20
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	5
		IRLU120NPBF		МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLU120NPBF		МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak			48.00
		IRLU120NPBF		МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak	INFINEON
		IRLU120NPBF		МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak	INFINEON / IR
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...		460	148.54
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP	27
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	Microchip Technology
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	ТАИЛАНД
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	4-7 НЕДЕЛЬ	798

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"