| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AM1/4L-1205S-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%, выход 5В 50мА, изоляция 1кВ
|
AIMTEC
|
|
|
|
|
|
AM1/4L-1205S-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%, выход 5В 50мА, изоляция 1кВ
|
|
|
695.40
|
|
|
|
AM1/4L-1205S-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%, выход 5В 50мА, изоляция 1кВ
|
КАНАДА
|
|
|
|
|
|
AM1/4L-1205S-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%, выход 5В 50мА, изоляция 1кВ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
SK
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
|
|
182.48
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
1
|
|
|
|
|
|
STRG6653 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V, Po=120W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 147
|
16.65
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
60.48
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
154
|
36.12
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
481
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
18.76
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
|
ТВО- 1 ВТ 51 ОМ 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ТВО- 10 ВТ 3.6 КОМ 10% |
|
|
|
|
|
|