SQP500JB-0R51
|
RES .51 OHM 5W 5% WIREWOUND |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SQP |
| Сопротивление (Ом) | 0.51 |
| Мощность (Ватт) | 5W |
| Composition | Wirewound |
| Температурный коэфициент | ±300ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Size / Dimension | 0.866" L x 0.374" W (22.00mm x 9.50mm) |
| Высота | 0.354" (9.00mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | Axial |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | NEC |
|
|
|
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | RENESAS | 38 | 592.63 | |
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) |
|
475.72 | ||
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | Renesas Electronics America |
|
|
|
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | США |
|
|
|
|
|
|
2SJ162 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058) | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
| 2SJ200Y | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SJ200Y |
|
1 087.20 | ||||||
| 2SJ200Y |
|
1 087.20 | ||||||
| 2SK1529Y | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SK1529Y |
|
720.00 | ||||||
 |
|
КТ808А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | 1 | 368.00 | ||
|
|
|
КТ808А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|
| П213А | 4 | 39.06 | ||||||
| П213А | ВОРОНЕЖ | 200 | 21.00 | |||||
| П213А | 1 |
|
|
