Версия для печати
Технические характеристики SFR2500003323FR500

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SFR25
Сопротивление (Ом)	332K
Мощность (Ватт)	0.4W
Composition	Metal Film
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±1%
Tolerance	±1%
Size / Dimension	0.098" Dia x 0.295" L (2.50mm x 7.50mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

Резистор металлопленочный SFR16S серии , 500мВт, 3.32кОм, 1%, 200В, 100ppm/К, 155С SFR2500003323FR500 datasheet 132,39kB 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Для навесного монтажа

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	NEC
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	RENESAS
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)			475.72
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	SANYO
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	Renesas Electronics America
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	США
		2SJ162		Биполярный транзистор P-MOS 160V, 7A, 100W (Comp. 2SK1058)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		2SJ200Y			TOSHIBA
		2SJ200Y					1 087.20
		2SJ200Y					1 087.20
		2SK1529Y			TOSHIBA
		2SK1529Y					720.00
		IRF510PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY	9	59.74
		IRF510PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)		77	146.15
		IRF510PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	Vishay/Siliconix
		IRF510PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	VISHAY/IR
		IRF510PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 5.6A, 43W, 0.54R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		КС 170А		Стабилитроны кремниевые, сплавные, двуханодные, малой мощности, для применения в ...		360	33.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"