| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
|
|
228.00
|
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
|
B57861S103F40 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 753
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
561
|
1.52
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
20 428
|
1.74
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.26
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
33 686
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 404
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
214 974
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
62 098
|
1.06
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
16 806
|
1.27
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
42 696
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
52 304
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
DC COMPONENTS
|
60 113
|
2.15
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
7 248
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
6 256
|
1.06
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KEEN SIDE
|
326
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
DC COMPONENTS
|
253 596
|
1.72
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NXP
|
711
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
NEXPERIA
|
34
|
1.83
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V6 |
|
Стабилитрон 1мкA, 5.2В, SMD монтаж
|
KEEN SIDE
|
7 411
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
|
224
|
5.55
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
DC COMPONENTS
|
31 644
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
EIC
|
889
|
1.85
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
SEMTECH
|
1 933
|
1.17
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
KLS
|
38 800
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
LGE
|
36 397
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
1
|
|
|
|