| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
2 385
|
2.74
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
16 292
|
2.16
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
54 243
|
2.98
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
224
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 359
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
144
|
1.76
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
3 200
|
2.53
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
80
|
1.42
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
MICRO CHIP
|
316
|
22.91
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
|
|
38.24
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
460
|
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
MICRJCHIP
|
104
|
31.80
|
|
|
|
93LC46B-I/SN |
|
Память последовательная EEPROM Microwire 1K
|
131
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
|
23 822
|
1.39
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
DC COMPONENTS
|
24 036
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
БРЕСТ
|
5 600
|
1.06
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
HOTTECH
|
47 121
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
SEMTECH
|
1 124
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZX55C6V2 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
DC COMPONENTS
|
6 214
|
4.60
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
16 245
|
3.83
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
ST1
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LTL
|
49
|
5.18
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
КИТАЙ
|
84
|
16.40
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
BRIGHTKING
|
378
|
6.69
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
JJM
|
1 296
|
6.78
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
KLS
|
|
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
YJ
|
7 938
|
2.82
|
|
|
|
P6KE12A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=12V, Ir-5mkA, Ifsm=100A UNIdirectional
|
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
|
|
592.00
|
|
|
|
|
REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
253
|
|
|