| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
220
|
1.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
12 575
|
1.29
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
33 518
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 364
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
140 633
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
54 284
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
7 986
|
1.22
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
53 220
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
52 128
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 516
|
16.96
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
268
|
16.96
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
|
20.00
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
11645
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
335
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б 0,15М Y5V 50В |
|
|
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
И-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
|
3
|
37.00
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
СПЛАВ
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
РОССИЯ
|
751
|
40.50
|
|
|
|
|
МЛТ-2-120 ОМ-10% |
|
|
|
270
|
7.40
|
|