Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 225mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
9 450
|
1.29
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.51
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
8 678
|
1.20
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
4
|
1.34
|
|
|
|
CECL-4.7/620 4R7K |
|
|
R6
|
|
|
|
|
|
CECL-4.7/620 4R7K |
|
|
|
|
|
|
|
|
CLH2012T-R33J-S |
|
|
CHY
|
|
|
|
|
|
CLH2012T-R33J-S |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
519
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 395
|
19.63
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
|
2 320
|
4.89
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
866
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
YOUTAI
|
4 829
|
1.83
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
UMW
|
3
|
5.17
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G04DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
226
|
|
|