МВСГ-0,25-10 КОМ-0,05% 1969Г

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МВСГ-0,25-10 КОМ-0,05% 1969Г	1	216.72

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		3 692	3.40
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	960	13.43
КД 522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
КП103И1			8	14.52
КП103И1		ВИННИЦА
КП103И1		RUS
КП103И1		ОКТЯБРЬ	392	51.66
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 013	5.55
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	1 167	12.78
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 050	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	4 492	4.20
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
КТ3107Г	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ
СП5-24-1-47 ОМ-5%-В			31	777.00