DFE252012P-1R5M=P2

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм	BOURNS
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм	Bourns Inc
3313S-1-103E	Потенциометр 10 кОм
AD8426ACPZ-WP
AD8426ACPZ-WP		ANALOG DEVICES
AD8426ACPZ-WP		4-7 НЕДЕЛЬ	285
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA	16 316	1.40
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C		140	4.68
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MUR	391 479	1.62 >100 шт. 0.81
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	Murata Electronics North America
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	ЯПОНИЯ
BLM21PG221SN1D	Дроссель подавления ЭМП ЧИП, 220 Ом (100 МГц), 2 А, 2.0x1.2x1.2 мм, -55..125°C	MURATA*
MC100EPT21DG		ON SEMICONDUCTOR
MC100EPT21DG		ONS
MC100EPT21DG				809.40
MC100EPT21DG		4-7 НЕДЕЛЬ	95
SN74LVC1G34DCKR		Texas Instruments
SN74LVC1G34DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	728
SN74LVC1G34DCKR			4
SN74LVC1G34DCKR		TEXAS
SN74LVC1G34DCKR		4-7 НЕДЕЛЬ	421