| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
|
40
|
302.40
|
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
6Н1П |
|
Двойной миниатюрный триод для усиления напряжения низкой частоты
|
ОРЕЛ
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
28 346
|
2.94
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
|
2 724
|
3.72
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ
|
2 259
|
6.47
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIC
|
26 286
|
3.32
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
BILING
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
EXTRACOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE
|
28 800
|
2.52
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KLS
|
641
|
7.31
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
LD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
JANGJIE
|
191
|
2.58
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
1
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CTK
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
3
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
|
210
|
817.95
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЭКА
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЕКА
|
20
|
1 875.75
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
---
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
315
|
11.78
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 096
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|