| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
22 918
|
1.39
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 214
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
23 200
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
3 286
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
50 408
|
1.32
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
|
57 463
|
1.56
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ
|
2 596
|
2.64
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIC
|
29 856
|
1.64
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
BILING
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
EXTRACOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE
|
30 400
|
2.34
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KLS
|
631
|
6.68
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
JANGJIE
|
210
|
2.20
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CTK
|
54
|
1.89
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MERRYELC
|
36 400
|
1.31
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KEEN SIDE
|
9 600
|
1.11
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
|
284
|
1 288.00
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЭКА
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЕКА
|
20
|
1 875.75
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
---
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
609
|
15.46
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
180
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 620
|
15.90
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.31
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
