| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
|
23 718
|
1.36
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
TEMIC
|
6 266
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
DC COMPONENTS
|
26 294
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
KINGTRONICS
|
79
|
2.07
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
HOTTECH
|
800
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ST MICROELECTRONICS
|
154
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
RUME
|
23 600
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
BZX55C10 |
|
Стабилитрон универсальный 40мA, 10В
|
ASEMI
|
3 208
|
1.25
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
80 308
|
1.65
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
|
64 839
|
1.54
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ
|
3 199
|
2.42
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIC
|
27 257
|
1.54
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
BILING
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
EXTRACOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE
|
32 000
|
2.41
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KLS
|
1 164
|
7.13
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DG
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
LD
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
JANGJIE
|
210
|
2.18
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
1
|
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CTK
|
78
|
1.95
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MERRYELC
|
37 152
|
1.31
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
|
287
|
1 288.00
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЭКА
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
ДОДЕКА
|
20
|
1 815.00
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
---
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1211ЕУ1 |
|
Двухтактный контроллер ЭПРА
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
476
|
12.88
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
13.23
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
340
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
446
|
2.25
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1
|
4.11
|
|
|
|
|
РЭС10.06.02 |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
