|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
11.34
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
8 657
|
5.03
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 718
|
4.48
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
28 400
|
1.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
428
|
1.89
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.20
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 448
|
1.71
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
|
|
23.44
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
|
12 245
|
2.87
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
SUNMATE
|
9 515
|
3.56
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
254
|
3.64
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
|
|
13.60
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
138
|
32.20
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
28.35
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
548
|
37.80
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|