| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
17 355
|
3.90
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 294
|
4.42
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
17 368
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
297
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.21
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
3 345
|
1.17
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
1 363
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
2 056
|
1.40
|
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
CHINA NATIONAL
|
|
|
|
|
|
|
3296W-500К |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный
|
|
|
23.44
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
|
11 925
|
2.92
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
SUNMATE
|
3 635
|
3.47
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
270
|
3.60
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
104
|
6.36
|
|
|
|
BZX85C12 |
|
Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)
|
130
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
205
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
10
|
1
|
24.73
|
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
|
|
13.60
|
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ6117Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|