| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
|
|
43.32
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
DC COMPONENTS
|
8 498
|
14.27
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
92
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
VISHAY
|
1
|
21.42
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
KEISUM
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE400A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт, 400в
|
1
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
316
|
263.38
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
480
|
362.28
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
378.47
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
|
3 450
|
253.92
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НЗПП
|
250
|
278.96
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
Д818Е |
|
Стабилитрон кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности, прецизионный
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
|
8
|
15.01
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КП103И1 |
|
|
ОКТЯБРЬ
|
384
|
51.66
|
|
|
|
|
СП5-24-1-47 ОМ-5%-В |
|
|
|
31
|
777.00
|
|