КС191Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КС191Б	800	8.59
КС191Б	800	8.59
КС191Б (САРАНСК)	267	8.48
КС191Б (СЗТП)	4	28.89

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А		46 172	2.96
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	RUS
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	СЗТП	80	12.49
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	ФОТОН
КД209Б	Кремниевый диод 400В, 0.7А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс		1 012	1.10 >100 шт. 0.55
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ХЕРСОН
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ДНЕПР	1 204	3.12
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	RUS
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	920
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	РАДИОДЕТ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	38.16
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	140	1 171.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		22	592.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 473.40
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
КТ828А			8	573.89
КТ828А		ФРЯЗИНО	40	159.00
КТ828А		БРЯНСК
КТ828А		RUS
КТ828А		ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ828А		129
КТ828А		18
КТ828А		23