КС191Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КС191Б	800	8.59
КС191Б	800	8.59
КС191Б (САРАНСК)	267	7.44
КС191Б (СЗТП)	44	38.26

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К140УД9			47	818.40
К140УД9		НУКЛОНАС
К140УД9		RUS
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс		140	3.78
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ХЕРСОН
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	ДНЕПР	1 052	3.12
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	RUS
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	920
КД503А	Импульсный диод 30В, 0,015А, 0,01 мкс	РАДИОДЕТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	208	1 171.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		32	595.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	124	1 292.70
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
КТ828А			7	573.89
КТ828А		ФРЯЗИНО	16	130.20
КТ828А		БРЯНСК
КТ828А		RUS
КТ828А		ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ828А		129
КТ828А		18
КТ828А		23
РЭС 9 РС.4.524.200