Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MOTOROLA
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	SMK
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	DC COMPONENTS	1 532	9.42
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	SEMICRON
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%			30.00
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MOTOROLA	19
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	ON Semiconductor
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	MICROSEMI CORP
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	ON SEMICONDUCTOR	92
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	КИТАЙ
		1N5383B		Стабилитрон 5W, 150V, 5%	DIOTEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	16 065	5.90
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	534	3.84
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		12 888	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	55	1.28  >100 шт.   0.64
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.11
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 998	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	3 200	53.00
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус		3 481	24.60
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTR
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTR
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	1
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	TOKMAS	2	23.73
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	WEIDA	1	32.56
		IRS2166DSPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRS2166DSPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		SK025M0220B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В	YAGEO
		SK025M0220B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В	YAGEO
		SK025M0220B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK025M0220B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK025M0220B3F-0811		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 25 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"