Версия для печати
Технические характеристики SK063M1000B7F-1632

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	63 В
Ток утечки	630 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.09
Максимальный ток пульсаций	1550 А
Шаг выводов	7.5 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 16x32
Рабочая температура	-40...85 °C
	For General
Емкость	1000 мкФ
Серия	SK
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2	44.10
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	771	10.28
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 740	8.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.42
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	28	42.58
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 412	24.52
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	1 771	27.58
		KBU6 (6А,1000В)
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	DC COMPONENTS
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В		1 658	22.92
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YJ	1 388	25.46
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	HOTTECH	5 864	35.03
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	KOME
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	SUNTAN
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YANGJIE	3 200	25.40
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YANGJIE (YJ)
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	KLS
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YIXING	1 600	21.42
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	SEP	739	32.28
		KBU810		Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В	YANGZHOU YANGJIE
		ЩУПЫ ДЛЯ МУЛЬТИМ. ETL11 (М890) С КРОК.
		ЩУПЫ ДЛЯ МУЛЬТИМ. ETL11 (М890) С КРОК.			КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"