SK063M1000B7F-1632


Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 63 В

Купить SK063M1000B7F-1632 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SK063M1000B7F-1632
Версия для печати

Технические характеристики SK063M1000B7F-1632

ПроизводительYageo Corporation
Допуск емкости±20%
Номинальное напряжение63 В
Ток утечки630 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь0.09
Максимальный ток пульсаций1550 А
Шаг выводов7.5 мм
Срок службы2000 Ч
Размер корпусаф 16x32
Рабочая температура-40...85 °C
For General
Емкость1000 мкФ
СерияSK
Корпус (размер)Radial
Тип монтажаВыводной
ТипЭлектролитический алюминиевый
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)     2 44.10 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИНДИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   PILIPINES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHANGJIANG Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   HOTTECH 771 10.28 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   JSCJ 10 740 8.23 
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   ИМОРТ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BD139 Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)   NXP 560 3.42 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   VISHAY 28 42.58 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А     1 412 24.52 
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   IR/VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF740 N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А   MINOS 1 771 27.58 
    KBU6 (6А,1000В)       Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В     1 658 22.92 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YJ 1 388 25.46 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   HOTTECH 5 864 35.03 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KOME Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE 3 200 25.40 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YIXING 1 600 21.42 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   SEP 739 32.28 
KBU810 Диодный мост 1 фазный для монтажа в отв. платы 8А, 1000В   YANGZHOU YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЩУПЫ ДЛЯ МУЛЬТИМ. ETL11 (М890) С КРОК.       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ЩУПЫ ДЛЯ МУЛЬТИМ. ETL11 (М890) С КРОК.     КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход