2N7002W
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 115mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-70, SOT-323 |
| Корпус | SC-70 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2N7002W (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BQ24740RHDR |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
BQ24740RHDR |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
|
BQ24740RHDR |
|
|
|
|||
|
|
|
BQ24740RHDR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 789 |
|
||
 |
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet |
|
|
||
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | ONS |
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet | 1 |
|
|
|
 |
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | 2 |
|
||
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | TEXAS |
|
|
|
|
|
|
TPS51125RGER |
|
Микросхема управления питанием | 4-7 НЕДЕЛЬ | 529 |
|
