FDMC8884
N-channel power trench mosfet
|
Версия для печати
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 685pF @ 15V |
| Power - Max | 2.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-MLP, Power33 |
| Корпус | MLP (3.3x3.3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDMC8884 (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
Производитель:
|
