КС212Ж
стекло
|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 12 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 13 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 40 |
| при токе I ст,мА | 4 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.095 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 11 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 24 581 | 2.18 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 158 014 | 2.48 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 61 836 | 3.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 42 012 | 2.62 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 5.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
235 790 | 1.30 | |||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 22 | 1.63 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 54 945 |
1.22 >100 шт. 0.61 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 440 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 44 896 | 1.56 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 4 792 | 1.26 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 75 956 | 1.06 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEEN SIDE | 199 359 |
1.16 >100 шт. 0.58 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
MERRYELC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
82582 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
81682 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TRR | 361 903 |
1.38 >100 шт. 0.69 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
71682 |
|
|
||
| CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| CC1206KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В |
|
|
||||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
 |
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | 2 640 | 9.94 | ||
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НЗПП | 256 | 34.10 | |
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НОВОСИБИРСК |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | ХЕРСОН |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | RUS |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КС133А |
|
Стабилитрон кремниевый 3,3В, 3-81 мА | САРАНСК |
|
|
|
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К | РЕЗИСТОР |
|
|
|||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К |
|
|
