Версия для печати
Технические характеристики CC1206KRX7R9BB273

Производитель	Yageo Corporation
Температурный коэфициент	X7R
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	50 В
Тип диэлектрика	X7R
Номинальное напряжение	50 В
Рабочая температура	-55...125 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	3.2x1.6x1.6
Емкость	0.027 мкФ
Серия	CC_1206
Корпус (размер)	1206
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Thickness	0.033" (0.85mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-8.2 5%		ЧИП — резистор		321	0.96  >500 шт.   0.32
		CC1206KRX7R9BB152		Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	YAGEO	30 706	2.07
		CC1206KRX7R9BB152		Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB152		Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB152		Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	YAGEO	2 000
		CC1206KRX7R9BB152		Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В
		CC1206KRX7R9BB683		Керамический ЧИП конденсатор 0.068 мкФ, X7R, 10%, 1206	YAGEO	26 312	1.22
		CC1206KRX7R9BB683		Керамический ЧИП конденсатор 0.068 мкФ, X7R, 10%, 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB683		Керамический ЧИП конденсатор 0.068 мкФ, X7R, 10%, 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KRX7R9BB683		Керамический ЧИП конденсатор 0.068 мкФ, X7R, 10%, 1206
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI			411.48
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	ST MICROELECTRONICS
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	NXP
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	STMICROELECTRONICS
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	МАРОККО
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	ST MICROELECTR
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	КИТАЙ
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	ST1
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI
		TDA2050V		ИМС УНЧ 32Вт, HI-FI	4-7 НЕДЕЛЬ	755
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		2 184	11.34
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП	26	15.62
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	584	67.16
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	1	80	1.41  >500 шт.   0.47

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"