| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.10
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
4.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
75 978
|
1.73
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
93 627
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
24 274
|
1.92
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.45
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 584
|
1.02
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
18 465
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.37
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
267 760
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.15
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
9 548
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
246 844
|
1.05
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
18 156
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
39 188
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
10 087
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ZITEK
|
16 800
|
1.68
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
|
3 214
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
FAIRCHILD
|
1 535
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
DIOTEC
|
9 391
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
HOTTECH
|
1 680
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
LGE
|
6 160
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
YJ
|
15 058
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C30 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.2 Вт, 30 V
|
SZOMK
|
338
|
1.51
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
|
|
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
369
|
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPD2E001DRLR |
|
Микросхема 2-channel +15kV ESD prot. arr
|
TECH PUB
|
2 789
|
8.64
|
|
|
|
|
WSL12065L000FTB |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
WSL12065L000FTB |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
Ф7-4X5 |
|
|
|
408 000
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
|
Ф7-4X5 |
|
|
|
408 000
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
|
Ф7-4X5 |
|
|
RUICHI
|
14 994
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|