ER14505S

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%	Vishay/Sprague
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%	VISHAY
293D476X0010B2TE3	Танталовый ЧИП конденсатор 47 мкФ, 10В, тип В, 20%
TDC1000PWR		TEXAS INSTRUMENTS
TDC1000PWR		TEXAS
TDC1000PWR
TDC1000PWR
TDC7200PW		TEXAS INSTRUMENTS
TDC7200PW
TPSB106K016R0500		AVX Corporation
TPSB106K016R0500		AVX
TPSB106K016R0500
TPSB106K016R0500		KYOCERA-AVX
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 367	38.16
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398