К174УР2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| К174УР2А | 2 | 18.90 | ||||||
| К174ХА9, (TCA640) (1990-97Г) |
|
|
||||||
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 2 732 | 4.68 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ | 152 | 6.36 | |
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 880 | 12.40 | |
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 191 |
|
|
|
 |
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | 674 | 136.64 | |||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 35 126 | 21.20 | ||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
 |
КП307Б | 81 | 49.19 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН |
|
|
