IRFD110PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFD110PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540 mOhm @ 600mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	180pF @ 25V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	4-DIP, Hexdip, HVMDIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFD110PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFD110PBF datasheet
1.8 Мб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFD9110PBF	МОП-Транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт	VISHAY
IRFD9110PBF	МОП-Транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт	Vishay/Siliconix
IRFD9110PBF	МОП-Транзистор, Р-канал, Vси = -100В, Iс = -0.7A, 1.3Вт, Rоткр = 1.2 Ом, 1.3Вт
MCC-Y5V-50-1	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В	HITANO
MCC-Y5V-50-1	Керамический конденсатор 1 мкФ 50 В			10.80
P6KE11A		FAIR
P6KE11A		DC COMPONENTS
P6KE11A		Fairchild Semiconductor
P6KE11A		Littelfuse Inc
P6KE11A
UC3844BN		ST MICROELECTRONICS	400	53.88
UC3844BN		ON SEMICONDUCTOR
UC3844BN		MOTOROLA
UC3844BN			51	51.10
UC3844BN		MOTOROLA
UC3844BN		ON SEMICONDUCTOR	8
UC3844BN		ST MICROELECTRONICS SEMI
UC3844BN		STMicroelectronics
UC3844BN		КИТАЙ
UC3844BN		ONS
UC3844BN		ST1
UC3844BN		ST MICROELECTRO
UC3844BN		4-7 НЕДЕЛЬ	272
К10-17Б-0.015 М1500 5%	Керамический конденсатор 0.015 мкФ 50 В			153.16