| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
NEX-NXP
|
13
|
18.04
|
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
NEXPERIA
|
6
|
17.59
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
INFINEON
|
104
|
144.65
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
|
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-071K54L |
|
|
YAGEO
|
71 884
|
0.90
>1000 шт. 0.18
|
|
|
|
|
RC0603FR-071K54L |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-071K54L |
|
|
|
|
|
|
|
|
RL1220S-R50-F |
|
|
Susumu
|
|
|
|
|
|
RL1220S-R50-F |
|
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
852
|
5.47
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
120
|
12.40
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
191
|
|
|
|