IRLML0060TRPBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 2.7A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 290pF @ 25V |
| Power - Max | 1.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 27ОМ 1% |
|
|
||||||
| 1206 2ОМ 5% |
|
|
||||||
 |
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом | BOURNS | 22 436 | 1.23 | ||
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом |
|
2.00 >100 шт. 1.00 |
|||
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом | BOURNS |
|
|
||
|
|
CAY16-220J4LF |
|
ЧИП резисторная сборка 4х22 Ом | Bourns Inc |
|
|
||
| H1102NLT | PUL |
|
|
|||||
| H1102NLT | PULSE ENGINEERING |
|
|
|||||
| H1102NLT |
|
376.00 | ||||||
| H1102NLT | PULSE ENGINEERING |
|
|
|||||
| H1102NLT | PULSE ELECTRONICS CORPORATION |
|
|
|||||
| H1102NLT | PULSE ELECTRONICS | 22 |
|
|||||
| H1102NLT | PULSE | 1 | 57.35 | |||||
| H1102NLT | 1 |
|
|
|||||
 |
SMA-13-S |
|
пьезоизлучатель+с генератором 13мм SMD |
|
|
|||
|
|
SMA-13-S |
|
пьезоизлучатель+с генератором 13мм SMD | SONITRON |
|
|
||
|
|
SMA-13-S |
|
пьезоизлучатель+с генератором 13мм SMD |
|
|
