| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONS
|
4 860
|
5.17
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
|
207
|
6.51
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ON SEMICONDUCTOR
|
48
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
84
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
INFINEON
|
5 378
|
13.43
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
|
2 400
|
14.05
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF |
|
|
TRR
|
3 200
|
6.20
|
|
 |
 |
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
|
260
|
46.50
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
LIT
|
14 155
|
25.60
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
FCS
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MOC3063 |
|
Оптопара 7.5кВ, 600В
|
2
|
|
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
|
2 240
|
139.50
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
СТАРТ
|
24
|
475.27
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
НПП УРЛЗ
|
|
|
|
|
|
|
АОУ103В1 |
|
Оптопара тиристорная состоящая из излучающего диода и кремниевого тиристора
|
СТАРТ МОСКВА
|
40
|
371.95
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
336
|
12.68
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
